打開一張芯片原理圖，你有沒有發(fā)現(xiàn)一個奇怪現(xiàn)象？
有的芯片電源腳標(biāo)VCC，有的卻標(biāo)VDD，還有VSS、VDDA、GND。明明都是供電，為什么名字不一樣？
很多初學(xué)者認(rèn)為只是廠家隨便命名，但真正的硬件工程師知道：這些符號背后，隱藏著半導(dǎo)體技術(shù)從三極管時代到MOS時代的發(fā)展路線。
要理解VCC和VDD，首先要回到半導(dǎo)體發(fā)展的源頭——三極管。
早期數(shù)字電路大量采用雙極型晶體管BJT。以NPN三極管為例，三個引腳分別是基極B、集電極C和發(fā)射極E。
當(dāng)基極施加控制電流后，集電極和發(fā)射極之間形成導(dǎo)通路徑，電流主要從集電極流向發(fā)射極。
因此，集電極C對應(yīng)的供電電壓，被命名為VCC，其中第一個C代表Collector（集電極）。
為什么叫兩個C？
這是一種歷史命名習(xí)慣，第二個字母用于表示該電壓屬于集電極供電系統(tǒng)，而不是代表兩個不同的節(jié)點。
所以在經(jīng)典TTL邏輯電路、早期單片機(jī)以及部分模擬電路中，經(jīng)常能看到VCC作為正電源標(biāo)識。
隨著芯片規(guī)模不斷擴(kuò)大，MOSFET逐漸取代三極管成為集成電路的核心器件。
MOS管是電壓控制器件，柵極幾乎不消耗直流電流，功耗更低，而且更容易實現(xiàn)高密度集成。
MOS管的三個極分別是Gate柵極、Drain漏極、Source源極。
在NMOS結(jié)構(gòu)中，漏極Drain負(fù)責(zé)連接電源側(cè)，因此漏極供電電壓被命名為VDD。
其中D代表Drain（漏極），第二個D同樣沿用了電源命名習(xí)慣。
所以簡單理解：VCC來自三極管時代，VDD來自MOS時代。
那么VDD一定比VCC低嗎？答案是否定的。
很多人把VDD等同于3.3V，把VCC等同于5V，這是一個常見誤區(qū)。
真正決定電壓大小的，不是名字，而是芯片內(nèi)部工藝、電平標(biāo)準(zhǔn)以及設(shè)計需求。
TTL時代主要采用5V邏輯，而CMOS時代為了降低功耗，逐漸發(fā)展出3.3V、2.5V、1.8V甚至更低電壓系統(tǒng)。
但采用CMOS工藝，并不意味著一定使用低電壓。芯片設(shè)計目標(biāo)、內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)都會影響最終供電要求。
在現(xiàn)代MCU和SOC中，經(jīng)常還能看到VSS、VDDA等名稱。
VSS通常對應(yīng)MOS結(jié)構(gòu)中的Source（源極），作為芯片內(nèi)部參考地使用；VDDA中的A代表Analog，表示模擬電源。
這些命名，本質(zhì)上都是工程師為了讓復(fù)雜芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)更加直觀。
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