采用NMOS管搭建軟啟動(dòng)電路時(shí)，通常選用增強(qiáng)型結(jié)構(gòu)并將其接入電源負(fù)極，且需滿足下述工作要求：
①導(dǎo)通電壓要求：需保證 Vgs> Vth（開啟閾值），確保MOSFET能夠正常導(dǎo)通；
②軟啟動(dòng)工作機(jī)制：借助外部輔助電路（例如RC網(wǎng)絡(luò)或?qū)Ｓ眉尚酒箹艠O電壓緩慢提升。隨著柵極電壓的逐步升高，MOS管溝道電阻會(huì)隨之逐漸減小，進(jìn)而抑制并平緩上電過程中產(chǎn)生的浪涌電流；當(dāng)柵極電壓升高至Vgs> Vth的狀態(tài)時(shí)，NMOS管會(huì)從漸進(jìn)導(dǎo)通狀態(tài)過渡至完全導(dǎo)通狀態(tài)。
NMOS管在不同類型電源電路中的緩啟動(dòng)應(yīng)用電路如下：
一、正向輸出電源的N型MOS管緩啟動(dòng)電路
如圖所示：
該電路接通電源初期，電阻R1會(huì)立即為電容C1充電，此時(shí)C1可視為短路狀態(tài)，二極管D1同步導(dǎo)通，將MOS管Q的柵極電壓拉至低位，此時(shí)NMOS管的柵源電壓Vgs<Vth，Q處于截止?fàn)顟B(tài)。
隨著C1充電過程的持續(xù)推進(jìn)，C1兩端電壓逐步升高，柵極電壓也隨之上升；當(dāng)柵源電壓達(dá)到Vgs>Vth（導(dǎo)通閾值）時(shí)，MOS管Q導(dǎo)通，實(shí)現(xiàn)電源負(fù)極的連通，順利完成軟啟動(dòng)流程。
軟啟動(dòng)完成后，二極管D1處于截止?fàn)顟B(tài)，主要發(fā)揮隔離C1兩端電壓的作用。
穩(wěn)壓管ZD1用于鉗制MOS管Q的柵源極電壓，起到保護(hù)Q管免受電壓沖擊的作用。
二、NMOS管在負(fù)極性供電電路中的緩啟動(dòng)電路
如圖所示：
該電路集成了-48V供電系統(tǒng)的緩啟動(dòng)、過壓防護(hù)及防反接功能。
NMOS管Q采用串聯(lián)方式接入電路負(fù)極端，其漏極與輸出端相連，源極則接入輸入端。
電路接通電源的初始階段，電阻R2對(duì)電容C1進(jìn)行充電，此時(shí)C1可看作短接狀態(tài)，MOS管Q的柵極電壓也同步為-48V。在此狀態(tài)下，柵源電壓Vgs<Vth（Q管導(dǎo)通閾值），因此Q管處于截止?fàn)顟B(tài)。
隨著C1充電量的不斷增加，其兩端電壓逐步升高，Q管的柵極電壓也隨之上升；當(dāng)柵源電壓達(dá)到Vgs>Vth的條件時(shí)，Q管迅速從漸進(jìn)導(dǎo)通狀態(tài)切換至完全導(dǎo)通狀態(tài)，順利完成軟啟動(dòng)流程，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)抑制上電浪涌電流的效果。
MOS管緩啟動(dòng)電路的典型應(yīng)用場(chǎng)景包括電源熱插拔、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及開關(guān)電源領(lǐng)域，核心作用是抑制電路中的沖擊電流，從而對(duì)功率管和負(fù)載起到保護(hù)作用。
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