很多人選MOS的時候，
看到參數表寫著：
VGS(th)=2V。
于是心想：
“我用3.3V驅動，肯定夠了吧？”
結果MOS是導通了，
但一帶大電流，
燙得離譜。
問題就出在一個誤區：
超過VTH，只代表MOS開始導通。
不代表它已經：完全導通！
VTH是什么？
你可以把它理解成：
MOS剛剛把門推開一條縫的電壓。
這時候雖然已經有電流，
但D、S之間的導通電阻，
也就是 RDS(on)，
可能還很大。
而MOS的導通損耗大約是：
P=I²×RDS(on)
注意這個平方。
電流一大，
RDS(on)哪怕只高一點，
發熱都會明顯增加。
所以看MOS數據手冊，
千萬別只盯著：
VGS(th)。
更重要的是看：
RDS(on)是在多大的VGS下標定的。
比如一顆MOS，
VTH只有2V，
但最低RDS(on)是在：
VGS=10V
條件下給出的。
那你用3.3V去驅動，
它可能確實“開了”，
但根本沒開透。
所以記住一句話：
VTH決定“開沒開”，RDS(on)決定“開得好不好”。
MOS發熱，
很多時候不是它耐不住電流，
而是你的Gate，
根本沒把它真正推開。
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